Bu çalışmada, geleneksel yalıtkan arayüzey tabakalı Metal/ Yarıiletken (MS) yapılar yerine Metal/ Polimer/ Yarıiletken (MPS) tipi Schottky diyotları (SDs) hazırlanmıştır. Polimer arayüzeye sahip Metal/ Polimer/ Yarıiletken (MPS) yapısının elektriksel özelliklerinin 18 kGy beta radyasyonuna bağlı analiz edilmiştir. Metal/ Polimer/ Yarıiletken (MPS) yapı, doz hızı 22 mGy/saat olan 90Sr beta radyasyon kaynağı kullanılarak ışınlandı. Polimer arayüzey olarak grafen katkılı polivinilalkol (PVA) kullanılmıştır. Polimer materyalin doğrudan 350 μm kalınlığında ve 1-10 ohm dirençli n-tipi Silikon (100) alttaş üzerine kaplanmasıyla üretilmiştir. 1.0 mm çapında ve 150 nm kalınlığında altın (Au) dairesel doğrultucu kontak, 10-6 kPa’da evaporasyon tekniği ile kaplanmıştır. Hazırlanan MPS yapısını beta radyasyonu ışınlama etkilerinin anlaşılabilmesi amacıyla radyasyondan önce ve radyasyondan sonra (18 kGy) elektriksel özelliklerinin radyasyona bağlı iletkenlik-voltaj (G-V) ve kapasitans-voltaj (C–V) ölçümleri; oda sıcaklığında, 1MHz frekansında, karanlık odada ölçümleri alınarak araştırılmıştır. Deneysel sonuçlara göre; yığılım, tükenim ve tersinim bölgelerinde iletkenlik -voltaj (G-V) ve kapasitans-voltaj (C–V) değerleri gerilime ve radyasyona güçlü bir şekilde bağlı olduğu görülmüştür. Ayrıca bu yapının radyasyona bağlı seri direnç (Rs) ve arayüzey durumlarıda (Nss) araştırılmıştır. Metal / Yarıiletken (MS) arayüzünde bulunan polimer arayüzey katmanlı MPS yapısının elektrik özellikleri üzerinde beta radyasyonunun bir etkiye sahip olduğu doğrulanmıştır. Dolayısıyla, polimer ara tabakası kullanılarak hazırlanmış olan bu Schottky diyotlar, uygulamalarda MIS/MOS tipi dedektörler yerine MPS tipi dedektörler olarak başarılı bir şekilde kullanılabilirler. ORCID NO: 0000-0002-4978-0015
Anahtar Kelimeler: Beta radyasyonu, Grafen katkılı PVA arayüzey tabakası, C-V ve G/ω-V karakteristikleri, Metal-Polimer-Yarıiletken (MPS)
|
