Öz: Günümüzde, elektronik cihazların tasarımında ve üretiminde kullanılan malzemelerde Metal-
yalıtkan-yarıiletken yapıları sıklıkla görülmektedir. Bu yapılar, farklı malzemelerin özelliklerini
birleştirerek, elektronik cihazların performanslarını artırmak için kullanılırlar. Oluşturulan nano yapılar,
esnek, düşük maliyetli, yüksek performanslı, çevre dostu, yeni işlevler kazanabilen ve yüksek hassasiyete
sahip avantajları ile öne çıkarlar. Bu çalışmada, nano yapıları oluşturmak için çift arayüzey kullanılmıştır.
PbO/SnO 2 çift ara yüzey tabakalı yapıların elektriksel özelliklerini incelemek için, kapasitans-iletkenlik-gerilim
voltaj (C-G/-V) ölçümleri oda sıcaklığında -4V ve +3V aralığında alınmıştır. Nano yapıların 1MHz frekans
değerinde radyasyondan önce ve sonra C-V, G-V ölçümleri değerlendirilmiştir. Radyasyon ölçümleri için Kobalt-
60 ( 60 Co) kaynağı kullanılmıştır. Ters öngerilim C -2 -V grafiklerinin lineer kısmının kesim noktası ve eğimlerinden
faydalanılarak; difüzyon potansiyeli (V D ,) alıcı katkı atomlarının yoğunluğu (N A ), Fermi enerji (E F ) seviyesi, tüketim
tabakasının kalınlığı (W D ) ve potansiyel engel yüksekliği gibi temel elektriksel parametreler incelenmiş ve 1MHz
için gama ışınlamasından önce ve sonra araştırılmıştır. Ayrıca Nicollian ve Brews metodu kullanılarak bu yapıların
direnci (R s ) voltaja bağlı değişim profilleri elde edildi. Çalışmada yer alan Seri direnç (R s ) etkisinin hangi bölge ve
frekansta daha etkin olduğunu belirlemek için yapıların ölçülen C-G/-V eğrileri R s değeri dikkate alınarak
düzeltildi. Elde edilen deneysel sonuçlar, çift ara yüzey yapılarla oluşturulan nano yapıların gama ışınlamasından
önce ve sonra elektriksel özelliklerini etkilediği gözlendi. ORCID NO: 0000-0002-4868-3854
Anahtar Kelimeler: Gama Radyasyonu, PbO, SnO 2 , C-V ve G/ω- V Karakteristikleri
|
