Bu çalýþmada, iki adet çok çýkýþlý geçiþ iletkenliði yükselteci-Multi Output Operational Transconductance Amplifier (MO-OTA), dört adet Metal Oxide Semiconductor (MOS) tranzistör, bir adet çarpma devresi ve iki tane pasif devre elemaný kullanýlarak tasarlanan memkapasitör devresinin (Spike-Timing-Dependent-Plasticity) STDP özelliði araþtýrýlmýþtýr. STDP özelliði, devrelerin öðrenme kabiliyetlerinin bir ölçüsü olarak düþünülebilir. Literatürde tasarlanan devrelerin STDP özellikleri genellikle incelenmemiþ olup lineer olmayan hafýza elemanlarý olarak adlandýrýlan memristörlerde deneysel olarak bu özelliðin olduðu gösterilmiþtir. Memkapasitörlerde de bu özelliðin olmasý beklense de memkapasitör devrelerinde bu özelliðin eklenmesi tasarýmcýlar tarafýndan yapýlabilir. Bu çalýþmada, memkapasitör devresinin hafýza özelliði olsa da STDP özelliðinin olup olmadýðý 30 adet darbe çifti uygulanarak incelenmiþtir. Uygulanan darbe çiftlerinin genlikleri ayný olup, aralarýndaki zaman farký sýfýrdan baþlayarak artan deðerler alýr. Ayný durum darbeler arasý zaman farký sýfýrdan negatif þekilde artacak þekilde de uygulanýr. Eðer net yük deðiþimi artan darbe çifti arasýndaki zamanla azalýyorsa STDP özelliði var, aksi durumda ise STDP özelliði yok denilir. OTA’da yer alan kuyruk akýmýnýn deðiþtirilmesi ile OTA’nýn iletkenliði ve dolayýsýyla memkapasitörün elektriksel karakteristiði deðiþtirilebilir. STDP özelliði araþtýrýlan devre elektronik olarak kontrol edilebilen devre olduðu için STDP özelliðinin elektronik olarak da kontrol edilebilmesi de araþtýrýlmýþtýr. Sonuç olarak, devrenin STDP özelliðinin zayýf olmasýndan dolayý nöromorfik devre uygulamalarýnda yaygýn olarak kullanýlmasýnýn çokta avantajlý olmadýðý anlaþýlmýþtýr.
Anahtar Kelimeler: Memkapasitör, STDP, OTA, MOS, SPICE.
|
