Günümüzde radyasyona karþý duyarlý yapýlar ve radyasyon sensörleri son zamanlarda araþtýrýlan konular arasýnda yer almaktadýr. Bu çalýþmalar arasýnda genellikle, metal- yarýiletken yapýlar arasýna polimer ve oksit ara yüzey tabakalý yapýlar kullanýlarak iyonize radyasyon altýndaki davranýþlarý incelenmiþtir. Metal-yarýiletken yapýlarýn elektriksel özellikleri arayüzey katmaný kullanýlarak deðiþtirilebildiði gösterilmiþtir. Arayüzey katmaný kullanýlarak, yapýnýn performansý artýrýlabilir ve yük geçiþleri düzenlenebilir. Ayný zaman arayüzey katmaný Metal-yarýiletken arayüzeyini pasivize eder, sýzýntý akýmýný düþürebilir. Bu çalýþmada, çift arayüzey katmanlý malzeme p tipi silisyum yarý iletkenin üzerine büyütülerek nano yapýlar oluþturulmuþtur. Oluþturulan yapýnýn gama radyasyonundan önce ve sonra kapasitans-voltaj ve iletkenlik-voltaj parametreleri farklý frekans deðerlerinde -4V ve +3V deðerleri arasýnda oda sýcaklýðýnda ölçülmüþtür. Malzemenin arayüzey durumlarýný hesaplamak için, Hill-Coleman Metodu kullanýlmýþtýr. C ve G/ω deðerleri radyasyondan sonra arttýðý görülmektedir. Kapasitans (C) ve iletkenlik (G/ω) ifadeleri artan frekans ile azalýþ gösterir. Kapasitans (C) ve iletkenlik (G/ω) deðerlerinin farklý frekanslarda farklý deðerler göstermesi malzemenin arayüzeyinde arayüzey kusurlarýnýn varlýðýndan kaynaklanmaktadýr. Arayüzey durumlarý yoðunluðu gama radyasyonundan sonra azalýþ gösterirken, seri direnç (Rs) ise deðeri artýþ göstermektedir. Nss deðerlerindeki bu azalýþ malzemenin arayüzeyinde rekombinasyon merkezlerinin sayýsýndaki azalmadan kaynaklanmaktadýr. Elde edilen sonuçlara göre, oluþturulan nano yapýlarýn elektriksel özellikleri gama radyasyonundan sonra deðiþtiði ve arayüzey durumlarýnýn etkilendiði görülmüþtür. Böylece bu nano yapýlarýn, bu sonuçlara göre radyasyon sensörü olarak kullanýlabileceði gösterilmiþtir. ORCID NO: 0000-0002-4254-3797
Anahtar Kelimeler: Arayüzey Durumlarý, Gama Radyasyonu, PbO, SnO2, C-V ve G/ω- V Karakteristikleri
|
