Bu çalışmada, iki adet çok çıkışlı geçiş iletkenliği yükselteci-Multi Output Operational Transconductance Amplifier (MO-OTA), dört adet Metal Oxide Semiconductor (MOS) tranzistör, bir adet çarpma devresi ve iki tane pasif devre elemanı kullanılarak tasarlanan memkapasitör devresinin (Spike-Timing-Dependent-Plasticity) STDP özelliği araştırılmıştır. STDP özelliği, devrelerin öğrenme kabiliyetlerinin bir ölçüsü olarak düşünülebilir. Literatürde tasarlanan devrelerin STDP özellikleri genellikle incelenmemiş olup lineer olmayan hafıza elemanları olarak adlandırılan memristörlerde deneysel olarak bu özelliğin olduğu gösterilmiştir. Memkapasitörlerde de bu özelliğin olması beklense de memkapasitör devrelerinde bu özelliğin eklenmesi tasarımcılar tarafından yapılabilir. Bu çalışmada, memkapasitör devresinin hafıza özelliği olsa da STDP özelliğinin olup olmadığı 30 adet darbe çifti uygulanarak incelenmiştir. Uygulanan darbe çiftlerinin genlikleri aynı olup, aralarındaki zaman farkı sıfırdan başlayarak artan değerler alır. Aynı durum darbeler arası zaman farkı sıfırdan negatif şekilde artacak şekilde de uygulanır. Eğer net yük değişimi artan darbe çifti arasındaki zamanla azalıyorsa STDP özelliği var, aksi durumda ise STDP özelliği yok denilir. OTA’da yer alan kuyruk akımının değiştirilmesi ile OTA’nın iletkenliği ve dolayısıyla memkapasitörün elektriksel karakteristiği değiştirilebilir. STDP özelliği araştırılan devre elektronik olarak kontrol edilebilen devre olduğu için STDP özelliğinin elektronik olarak da kontrol edilebilmesi de araştırılmıştır. Sonuç olarak, devrenin STDP özelliğinin zayıf olmasından dolayı nöromorfik devre uygulamalarında yaygın olarak kullanılmasının çokta avantajlı olmadığı anlaşılmıştır.
Anahtar Kelimeler: Memkapasitör, STDP, OTA, MOS, SPICE.
|